中川コンサルティング事務所
パワーデバイス・パワーICの設計を
お手伝いします。
・連絡先E-mail：
akio.nakagawa.dr@ieee.org
論文、資料のダウンロードができます。マウスで右クリックして”対象をファイルに保存”を選んでください。
・2022年のSSDMで1984年に発表したIGBTの論文High
voltage bipolar-mode MOSFETs with
high current capabilityで
SSDM Awardを頂きました。
この論文はNon-Latch-Up IGBTの基礎となる寄生サイリスタがラッチアップする電流密度を１００Aまで大きくする技術について述べています。
・2021年のISPSDで1200Vの双方向で動作するIGBTを発表しました。
"1200V
Bidirectional FS-IGBT (BFS-IGBT) with Superior Turn-Off Capability"
・IEEEに在籍40年のバッジを頂きました。
・ 2020年電気学会研究会で2件の論文を発表しました。
「エッジ終端構造を有するIGBTモデルによるUIS時の電流フィラメント生成および破壊モードのTCAD解析」
「１５V駆動の微細IGBTにおける電流飽和メカニズムの研究」
・
UIS時のIGBTの破壊を３次元シミュレーションで解析し、電流集中がアバランシェで起こり、温度が上昇して、温度起因のフィラメントができて破壊に至るという結果をJJAPに発表しました。
"Impact of 3D
simulation on the analysis of unclamped inductive switching", Masahiro Tanaka,
Naoki Abe and Akio Nakagawa, Japanese Journal of Applied Physics, Volume 59,
Number SG, SGGD01
・
2019年のSSDMで論文発表し、UIS時の破壊において、アバランシェフィラメントと温度フィラメントが発生し、温度フィラメントで破壊することを示しました。
”Impact
of 3D Simulation on the Analysys of Umclamped Imductive Switching"
・
2015年１月から１年間台湾清華大学、Y. S. Sun Chaired Professorを務め、６時間の講演"Basic and Advanced
Theory on Power Semiconductor Devices"を行いました。
この講義ノートをダウンロードできます。
"Basic and Advanced Theory on Power Semiconductor Devices"
・
IGBTとパワーIC技術の業績により ISPSD Hall of Fame （ISPSDの殿堂）に選ばれました。
・ 2018年 ISPSD2018で論文を発表しました。
Novel 3D Narrow Mesa-IGBT suppressing
CIBL
IGBT Structure with Electrically
Separated Floating-p Region Improving Turn-on dVak/dt
Controllability
・ 2017年
ISPSD2017で論文を発表しました。
Conductivity modulation in the channel inversion layer of very narrow mesa
IGBT
Study of the electrostatic potential of the floating-p region during the
turn-on period of IGBT
・
2016年
ISPSD2016で論文を発表しました。
"Growth
of short-circuit current filament in MOSFET-Mode IGBTs"
・ 2015年
ISPSD2015で論文を２件発表しました。
"Simulation Studies for Avalanche Induced Short-Circuit
Current Crowding of MOSFET-Mode IGBT"
"Investigation of Anode-Side Temperature Effect in 1200V FWD
Cosmic Ray Failure"
・ 2014年11月19日
応用物理学会 先進パワー半導体分科会第一回講演会で招待講演「IGBT発展の経緯と限界特性」の講演を行いました。資料のダウンロードはここをクリック。
・
2014年 6月15-19日 ハワイで行われたISPSD2014で論文
"Simulation studies for short-circuit current crowding of
MOSFET-Mode IGBT"を発表しました。
・
2014年 6月4-5日 シノプシスTCAD
Workshopで講演「パワー半導体の未来とTCAD技術」を行いました。資料のダウンロードはここをクリック。
・ 2013年10月21、22日 大阪大学で行われた電気学会合同研究会で「MOSFETモードIGBTにおける負荷短絡時の電流集中」の論文発表を行いました。資料のダウンロードはここをクリックしてください。
・
2013年10月4日 一般社団法人半導体産業人協会 2013年「半導体アドバンスト講座」でパワーデバイスの講演を行いました。 資料のDownloadはここをクリックしてください。
・
2013年7月12日 SYNOPSYS USERS
MEETING で 「シリコンパワー素子IGBTの現状と未来」と題する講演を行いました。Downloadはここをクリックしてください。
・
2013年5月17日 日本技術士会 電気電子部会 5月定例部会で「初期のIGBT開発の経緯と今後の展望」という講演を行いました。
・
2013年4月8-9日 台湾ITRI主催のInternational Workshop on Wide-Band-Gap Power
Electronics” (IWWPE 2013)で
“Evolution of Silicon Power Devices and Future
Possibility”
の講演を行いました。
・
2012年10月25,26日 浜松市地域情報センターで行われた電子デバイス・半導体電力変換合同研究会の写真はここからダウンロードできます。
・
2012年6月3-7日
ベルギー、ブルージュで行われたISPSD12で2件の論文を発表しました。
"Carrier-Storage
Effect and Extraction-Enhanced Lateral IGBT( E2LIGBT ): A Super-High Speed and
Low On-state Voltage LIGBT Superior to LDMOSFET"
"Analysis
for Rapid Tail Current Decay in IGBTs with Low Dose
p-Emitter"
・ 1980年代に開発が始まったIGBTの開発の経緯の物語を掲載しました。
・
2012年1月17日 IEEE東京支部主催講演会の講演ファイルは以下よりダウンロードできます。
「世界を動かすシリコンパワー半導体−−その発展の経緯と未来」
・2011年10月 電気学会 論文誌D部門 2012年1月号にSOI高速ダイオードの論文を発表します。
戸倉 規仁、山本 貴生、加藤 久登、中川 明夫
「横型SOI高速ダイオードの逆回復動作におけるダイナミックアバランシェ現象の解析と、その抑制構造の開発」 IEEJ Trans. IA, Vol.132, No.1, 2012
・2011年9月 SSDM2011で横型MOSFETより高速な横型IGBTを発表しました。
Youichi Ashida,
Shigeki Takahashi, Satoshi Shiraki, Norihito Tokura, and Akio
Nakagawa, “Extraction enhanced lateral
IGBT (E2 LIGBT) : A super high speed LIGBT
superior to LDMOS”
・パワーデバイスのシリコン限界に関する論文はここ↓にまとめてあります：
Akio Nakagawa, Yusuke Kawaguchi and Kazutoshi Nakamura, “Silicon
Limit Electrical Characteristics of Power Devices and ICs”, Proc. ISPS2008
・2010年 11月 電気学会 電子デバイス・半導体電力変換合同研究会でSOI高速ダイオードの論文を発表しました。
「横型ＳＯＩ高速ダイオードの逆回復動作におけるダイナミックアバランシェ現象の解析とその抑制構造の検討」
・2010年 9月 IEEE William E. Newell Power Electronics
Awardを受賞しました。
IEEEのAWARDの紹介ページ→（http://www.ieee.org/about/awards/bios/newell_recipients.html）
Akio
Nakagawa’s development of the non-latch-up insulated-gate bipolar transistor
(IGBT), which switches power at high speed, created an indispensable power
device now used in applications ranging from air conditioners to hybrid
vehicles. Before Dr. Nakagawa’s pioneering work in 1984, IGBTs
of that time were prone to failure or even destruction due to latch-up (a type
of short circuit) caused by the parasitic thyristor
of the IGBT. His invented design principles completely suppressed the latch-up
even under high-voltage and large-current operating conditions. The ability to
withstand the “load-short-circuit” condition for more than 20 µs exceeded the
capability of existing bipolar transistors. This set the global standard for
IGBT design and enabled its successful commercialization.
An IEEE Senior Member, Dr. Nakagawa is currently Technical Consultant of
Nakagawa Consulting Office. He previously served as Chief Fellow of Toshiba
Corporation Semiconductor Company,
・2010年4,6月 群馬大学で講演を行いました。ファイルは下記からダウンロードできます。
「パワーデバイス開発の経緯と将来技術」 File1
「エコ社会を支えるパワーIC技術――高耐圧ＳＯＩと低耐圧ＢＣＤ」File1、File2
・2010年 3月 Non-Latch-Up IGBTが電気学会の「電気の礎」に選ばれました。
電気学会の電気の礎の紹介 →（http://www2.iee.or.jp/ver2/honbu/30-foundation/data07/3rd01.php)
・2008年12月 書籍「世界を動かすパワー半導体」が電気学会から出版されました。
技術コンサルタント： 中川 明夫の経歴
現在 中川コンサルティング事務所 技術コンサルタント
2009年 9月
（株）東芝 退社
2005年 10月 (株）東芝 セミコンダクター社 首席技監
1999年 4月 (
株）東芝研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 技監
1994年 4月 同材料デバイス研究所 第３研究所 研究主幹
1988年 7月 総合研究所 電子部品研究所 研究開発グループ責任者
1987年 4月 同電子部品研究所 研究開発グループ 主任研究員
1981年 9月〜1983年 2月 米国マサチューセッツ州立大学 客員研究員
1974年 4月 東京芝浦電気入社
1984年 6月
東京大学工学系研究科 工学博士
博士論文「改善した一次元半導体素子モデルとその素子設計及び動作解析への応用」